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Bienvenue dans la collection HAL du groupe CS : Convertisseurs Statiques
Nos activités de recherche couvrent les problématiques principales de la conversion d’énergie électrique et reposent sur la combinaison d’approches théoriques et expérimentales autour de la notion de cellule de commutation.
Le groupe s’est spécialisé dans l’étude de nouvelles structures de convertisseurs multicellulaires de moyenne et de forte puissance (du kW au MW) mettant en jeu des agencements originaux des cellules de commutation imbriquées séries, superposées parallèles et la parallélisation globale ou partielle par des dispositifs innovants de couplages magnétiques.
Types de documents publiés
Sujets
Interleaved converters
Gate driver
CMOS
HEMT GaN
Railway electrification
Silicon Carbide SiC
DBD
Skin effect
Gate-Aging
2D physical simulation
Insulated gate bipolar transistors
GaN
Trapping
MOSFET SiC
Railways
Power Converters
Multilevel converters
Short-Circuit
Fuel cell
Rail transportation power systems
Busbars
Hydrogen
Fuel cells
Power electronics
Power conversion
Static converter
Thyristor
MOSFET circuits
Electric Discharge Power Supply
DC-DC power convertors
Harmonic interactions
Robustness
Rail transportation
Wide bandgap semiconductors
Power converter
Medium voltage
Optimization
SiC MOSFETs
Traction
Driver circuits
Design
Diamond
Photovoltaic hybrid system
Choppers circuits
Switching convertors
Silicon compounds
Fault tolerance
Self-switching
Capacitors
Gate-Driver
Distributed control
Ultra Violet Generation UV
Efficiency
Device simulation
Gate Driver
Voltage control
Silicon carbide
Switches
SiC Mosfet
Switching frequency
Active Gate Driver
Elemental semiconductors
Protection
Detection
Monolithic integration
Power convertors
SiC MOSFET
Court-circuit
InterCell Transformer ICT
Dielectric Barrier Discharge
Failure-Mode
Traction power supplies
Power Converter Design
Bridge circuits
Substations
Excimer Lamp
Optimisation
Ageing
Switching losses
Multilevel converter
Buck converter
Wide band gap semiconductors
Renewable energy
Coupled inductors
Intercell transformers
Short-circuit
Power integration
IGBT
Silicon
Electrolyzer
Power MOSFET
Inverter
Gate-Damage
MOSFET
Modelling
DC-DC power converters
Zero voltage switching
Reliability
Decentralized control
Electronique de puissance
Derniers dépôts
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Lucien Ghizzo, Gérald Guibaud, Christophe de Nardi, François Jamin, Vanessa Chazal, et al.. Localization and Physical Analysis of Defects in Degraded Power HEMT p-GaN Transistors Stressed with DC Voltage Surge and Voltage with Switching Stress. Journal of Failure Analysis and Prevention, 2024, 24 (5), pp.2221-2231. ⟨10.1007/s11668-024-02038-x⟩. ⟨hal-04752825⟩